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Testes
1) Um semicondutor intrínseco é um material:
a) Com impurezas trivalentes
b) Com impurezas pentavalente.
c) Material puro
d) NDA
Obs: NDA significa nenhuma das alternativas Anteriores
2) Em relação a um semicondutor tipo N podemos afirmar que:
a) Tem mais elétrons livres que lacunas.
b) Tem mais lacunas que elétrons livres.
c) É um material negativo.
d) NDA
3) Em uma junção PN polarizada reversamente podemos afirmar:
a) O fluxo de cargas é devido aos portadores minoritários.
b) O fluxo de cargas é devido aos portadores majoritários.
c) A largura da região de carga espacial é mais estreita do que na junção polarizada diretamente.
d) Todas estão corretas
.
4) Podemos afirmar que a origem dos portadores minoritários em um material N é:
a) A impureza adicionada ao semicondutor.
b) Quebra de ligações covalentes devido a temperatura.
c) Tensão externa.
d) NDA.
5) Em um diodo polarizado diretamente a corrente é devido praticamente aos:
a) Portadores majoritários.
b) Portadores minoritários.
c) Íons da impureza (Fosforo do lado N e Boro do lado P).
d) NDA
6) Em um diodo polarizado reversamente a corrente é devido praticamente aos:
a) Portadores majoritários.
b) Portadores minoritários.
c) Íons da impureza (Fosforo do lado N e Boro do lado P).
d) NDA
7) Quando uma barra de material P é ligada a uma barra de material N, uma região é formada de cada lado da junção metalúrgica. Podemos afirmar que:
a) No lado P próximo à junção aparecem cargas negativas livres e do lado N cargas positivas livres.
b) No lado P próximo à junção aparecem íons negativos presos a estrutura cristalina, e do lado N íons positivos presos a estrutura cristalina fazendo aparecer uma barreira de potencial que se opõe à movimentação dos portadores minoritários.
c) No lado P próximo à junção aparecem íons negativos presos a estrutura cristalina, e do lado N íons positivos presos a estrutura cristalina fazendo aparecer uma barreira de potencial que se opõe à movimentação dos portadores majoritários.
d) NDA
8) Em relação a um diodo podemos afirmar que:
a) Com polarização reversa existe uma tensão máxima que pode ser aplicada, chamada de máxima tensão reversa especificada em manual (VRRM).
b) Quando conduz uma conduz uma corrente existe um valor máximo de corrente continua especificada em manual (IAV).
c) A equação característica, em polarização direta, segue uma lei exponencial.
d) Todas as alternativas anteriores estão corretas.
9) Em relação aos modelos usados para o diodo podemos afirmar que:
a) Em polarização direta para o modelo ideal o diodo pode ser considerado um curto circuito.
b) O modelo ideal só tem precisão quando a tensão externa, em polarização direta, for muito maior que 0,7 V.
c) Na pratica, em polarização direta o diodo (Si) conduz efetivamente quando a tensão aplicada ao mesmo superar 0,5 V.
d) Todas as alternativas são corretas.
10) Em um retificador de meia onda ligado a um transformador cujo secundário tem uma tensão de 20 V e que alimenta uma carga resistiva de 10 Ohms podemos afirmar que, considerando diodo ideal:
a) A máxima tensão reversa a que o diodo será submetido é 20 V.
b) A máxima tensão a que o diodo será submetido é 10 V.
c) A máxima tensão a que o diodo será submetido é 40 V.
d) NDA
11) No circuito da questão 9, um amperímetro CC ligado em serie com o diodo indicará aproximadamente, considerando o diodo ideal:
a) 2,8 A
b) 1,8 A
c) 0,9 A
d) NDA
12) Em um retificador de onda completa o secundário com Center Tap é de 20V+20V e a carga é de 10 Ohms, podemos afirmar que, considerando o diodo ideal:
a) A máxima tensão reversa a que cada diodo será submetido será de aproximadamente 28 V.
b) A máxima tensão reversa a que cada diodo será submetido será de aproximadamente 14 V.
c) A máxima tensão reversa a que cada diodo será submetido será de aproximadamente 56 V.
d) A máxima tensão reversa a que cada diodo será submetido será de aproximadamente 40 V.
13) No circuito da questão 12 um amperímetro CC ligado em serie com cada diodo indicará, considerando o diodo ideal, aproximadamente:
a) 1,8 A
b) 2,8 A
c) 0,9 A
d) NDA
14) Em um retificador em ponte o secundário é de 20 V e a carga de 10 Ohms. Podemos afirmar que a máxima tensão reversa a que cada diodo, ideal, será submetido é de aproximadamente:
a) 28 V
b) 56 V
c) 14 V
d) NDA
15) No circuito da questão 13 um amperímetro CC é ligado em serie com a carga, considerando que o diodo é ideal podemos afirmar que o amperímetro medirá:
a) 1,8 A
b) 0,9 A
c) 3,6 A
d) NDA
b) 0,9 A
c) 3,6 A
d) NDA
16) No circuito o Zener tem as especificações 5 V/500 mW. A máxima corrente que pode passar pelo mesmo é:
a) 50 mA
b) 100 mA
c) 150 mA
d) 200 mA
17) Na questão 16, o menor valor que pode ter R é:
a) 500 Ohms
b) 200 Ohms
c) 140 Ohms
d) 70 Ohms
18) No circuito da questão 16 uma resistência de 50 Ohms é ligada em paralelo com o Zener. O menor valor que pode ter a resistência R é:
a) 250 Ohms
b) 100 ohms
c) 70 Ohms
d) 35 Ohms
19) Qual a indicação de cada instrumento (ideais e digitais) com a chave em A? Considerar modelo ideal para diodo.
a) A=0 mA; V1=15 V; V2=20 V
b) A=0 mA; V1= -15 V; V2= -20 V
c) A=0 A; V1=10 V; V2=5 V
d) A=0 A; V1=0,7 V; V2=-10 V
20) Qual a indicação de cada instrumento (ideais e digitais) com a chave em B na questão 19? Considerar modelo ideal.
a) A= 15 mA;V1=0 V; V2= -5 V
b) A= -15 mA;V1=0 V; V2=5 V
c) A= 0 mA;V1=0 V; V2=-5 V
d) A= 0 mA;V1=0 V; V2=5 V
21) Para o circuito os instrumentos são ideais, digitais e medem em CC. Qual a forma de onda na carga. Adotar modelo de bateria (0,7V). Considerar a escala 5 V/Div.
a) b) c) d) NDA
22) Na questão 21 qual a indicação (aproximada) dos instrumentos ?
a) V=1,5 V; A= 15 mA
b) V=0,7 V/ A=7 mA
c) V= 1,8 V; A=20 mA
d) NDA